第三代半導體材料是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV的寬禁帶半導體材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。根據Yole數據，僅碳化硅器件中的功率器件的市場規模將從2021年的10.90億美金增長至2027年的62.97億美金，GAGR達到34%，從細分行業需求來看，新能源產業鏈和充電基礎設施將為增長最快領域。關注個股：華燦光電(300323)； 蘇州固锝（002079）